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產(chǎn)品說明:ARM? Cortex?-M7 - 微控制器 IC 32 位雙核 300MHz 2MB(2M x 8) 閃存 176-eLQFP(24x24)
封裝:176-LQFP產(chǎn)品說明:汽車級碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 75 mΩ,33 A 采用 HiP247-4 封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:汽車級碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 63 mΩ,30 A 采用 HiP247-4 封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 80 A 536 W 通孔 TO-247 長引線
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 40 V PowerFlat?(5x6)
封裝:8-PowerDFN產(chǎn)品說明:微控制器 IC 32 位 64MHz 256KB (256K x 8)閃存 48-LQFP (7x7)
封裝:LQFP-48產(chǎn)品說明:微控制器 IC 32-位 80MHz 128KB(128K x 8) 閃存 48-LQFP(7x7)
封裝:LQFP-48產(chǎn)品說明:具有擴展診斷功能和智能驅(qū)動功能的高效高壓側(cè)開關(guān),適用于電容性負(fù)載
封裝:PowerSSO-24產(chǎn)品說明:具有擴展診斷功能和智能驅(qū)動功能的高效高壓側(cè)開關(guān),適用于電容性負(fù)載
封裝:PowerSSO-24產(chǎn)品說明:微控制器 IC 32-位 48MHz 16KB(16K x 8) 閃存 20-TSSOP
封裝:TSSOP-20產(chǎn)品說明:微控制器 IC 32-位 48MHz 16KB(16K x 8) 閃存 20-UFQFPN(3x3)
封裝:UFQFN-20產(chǎn)品說明:八路高壓側(cè)智能功率固態(tài)繼電器,片載串行/并行可選接口
封裝:48-QFN電話咨詢:86-755-83294757
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