商品名稱:IPDQ60R040S7A
數(shù)據手冊:IPDQ60R040S7A.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-22-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
通用型IPDQ60R040S7A高電壓功率MOSFET N溝道晶體管
產品介紹
IPDQ60R040S7A是一種高壓功率MOSFET,根據開創(chuàng)的超級結(SJ)原理設計為靜態(tài)開關。
規(guī)格
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:600 V
Id - 連續(xù)漏極電流:14 A
Rds On - 漏極-源極電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 C,+ 20 C
Vgs th - 柵極源閾值電壓:4.5 V
Qg - 柵極電荷:83 nC
最低工作溫度:- 40 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散:272 W
通道模式: 增強型
功能特點
針對高端應用中的低開關頻率進行了優(yōu)化(斷路器和橋式整流器中的二極管并聯(lián)/替換)。
S7A技術在最小的占地面積內實現(xiàn)了最佳的Ros/on)。
開爾文源引腳提高了大電流下的開關性能。
QDPAK(PG-HDSOP -22-1)封裝符合MSL 1標準,完全無鉛,適用于標準PCB組裝流程。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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