商品名稱:BSZ036NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSZ036NE2LSATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
BSZ036NE2LSATMA1是N溝道功率MOSFET晶體管,極低的柵極和輸出電荷,加上極低的導(dǎo)通電阻和小封裝尺寸,使OptiMOS? 25V成為要求嚴(yán)格的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信穩(wěn)壓器解決方案的最佳選擇。
BSZ036NE2LSATMA1的產(chǎn)品屬性
零件編號(hào):BSZ036NE2LSATMA1
Rds On - 漏極-源極電阻: 4.1 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷: 16 nC
最低工作溫度:- 55 C
BSZ036NE2LSATMA1的特點(diǎn)
通過減少多相轉(zhuǎn)換中的相位數(shù)來節(jié)省整體系統(tǒng)成本
在所有負(fù)載條件下降低功耗并提高效率
通過小型封裝或封裝的系統(tǒng)解決方案,如CanPAK?、S3O8等,節(jié)省空間。
大大降低系統(tǒng)EMI,無需外部緩沖網(wǎng)絡(luò),使產(chǎn)品更容易設(shè)計(jì)成
集成電路芯片BSZ036NE2LSATMA1 N溝道MOSFET晶體管 8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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TLE9883QTA62:帶 CAN-FD 的 MOTIX? 兩相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,TQFP-48基本信息:型號(hào):TLE9883QTA62封裝:TQFP-48類型:MOTIX? 兩相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器TLE9883QTA62 屬于 MOTIX? TLE988x 產(chǎn)品系列。它是一款完全集成的 2 相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 Arm Cortex-M3 內(nèi)核,能夠?qū)崿F(xiàn)先…電話咨詢:86-755-83294757
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