商品名稱:SCTH60N120G2-7
數(shù)據手冊:SCTH60N120G2-7.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTH60N120G2-7 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET具有52m?(典型值)和 60A(額定值)特性,采用H2PAK-7封裝。該器件具有出色的開關性能,以及極低的單位面積導通電阻RDS(on)性能指標,從而實現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。應用包括開關模式電源、直流/直流轉換器和工業(yè)電機控制。
產品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術:SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):60A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):52 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):94 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1969 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):390W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:H2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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