A2T27S020GNR1是2.5 WLDMOS射頻功率晶體管專為頻率范圍為400至2700MHz之間的移動通信基站應用而設計。
特性
增大負柵源電壓范圍,改善C類放大器運行
專為數(shù)字預失真糾錯系統(tǒng)而設計
通用寬帶驅動器
符合RoHS規(guī)范
A2T27S020GNR1產品屬性
制造商:NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V
工作頻率: 400 MHz to 2.7 GHz
增益: 21.1 dB
輸出功率: 2.5 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: Screw Mount
封裝 / 箱體: TO-270G-2
通道數(shù)量: 1 Channel
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: A2T27S020
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
單位重量:548 mg
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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