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SCT012W90G3-4AG器件是一款汽車級碳化硅功率MOSFET，采用ST先進的第三代碳化硅MOSFET技術。該器件在整個溫度范圍內具有極低的 RDS（on） 以及低電容和非常高的開關作，從而提高了應用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的性能。

技術參數

產品：SCT012W90G3-4AG

封裝 / 箱體：HiP247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：900 V

Id-連續(xù)漏極電流：110 A

Rds On-漏源導通電阻：15.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.1 V

Qg-柵極電荷：138 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 200 C

Pd-功率耗散：625 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

配置：Single

下降時間：16 ns

封裝：Tube

產品：SiC MOSFETS

產品類型：SiC MOSFETS

上升時間：43 ns

典型關閉延遲時間：41 ns

典型接通延遲時間：20 ns

此外，SCT012W90G3-4AG器件符合AEC-Q101標準，適用于汽車電子等高可靠性要求的應用?。

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