DD560N45K是一款高性能二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管,采用先進的封裝技術,確保在高功率應用中的穩(wěn)定性和可靠性。
DD560N45K產(chǎn)品特性
高電壓與大電流處理能力:具有 4500V 的最大反向電壓(Vdrm),能夠承受高達 560A 的非重復性浪涌電流(I_Tsm),以及 350A 的最大整流電流(I_F),適用于高功率應用。
低正向壓降:最大正向壓降(V_F)為 2.1V,有助于降低導通損耗,提高系統(tǒng)的效率。
高浪涌電流耐受能力:能夠承受短時電網(wǎng)尖峰等高浪涌電流,確保在惡劣條件下的可靠性。
高直流阻斷穩(wěn)定性:在整個使用壽命期間,能夠保持較高的直流阻斷穩(wěn)定性,確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行。
封裝形式:采用緊湊的封裝形式,具有良好的散熱性能和電氣特性,便于在電路板上安裝和焊接。
DD560N45K典型應用
用于驅(qū)動應用的整流器
用于 UBS 的整流器
電池充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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CY62177G30-55BAXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項和多種引腳配置。CY62177G30-55BAXI 器件包含一個ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯誤檢測和糾正事件信號。CY62177G30-55BAXI 的特性超低待機電流典型待機…CY62177GE30-55ZXI
CY62177GE30-55ZXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項和多種引腳配置。CY62177GE30-55ZXI 器件包含一個ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯誤檢測和糾正事件信號。CY62177GE30-55ZXI 的特性超低待機電流典型待機…DD700N22K
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DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。電話咨詢:86-755-83294757
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