商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMSQ120R012M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,12 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局,從而減少寄生元件和雜散電感的影響,同時提供增強的熱管理能力。
頂部散熱Q-DPAK雙半橋封裝正引領散熱、能效、設計靈活性和性能的新時代。
IMSQ120R012M2HH 的特點
VDSS = 1200 V 時 Tvj = 25°C
IDDC = 89 A 時 TC = 100°C
RDS(on) = 12 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C
極低的開關損耗
過載運行溫度可達 Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準柵極閾值電壓 4.2 V
對寄生導通具有抗擾性
適用于硬切換的堅固體二極管
.XT 互聯(lián)技術
IMSQ120R012M2HH 的優(yōu)勢
更高的功率密度
支持自動化裝配
簡化設計復雜度
與BSC相比具有卓越的熱性能
降低系統(tǒng)功率損耗
支持PD 2下的950 V VRMS
降低總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMSQ120R012M2HH的應用領域
電動汽車充電
通用電機驅動
伺服電機驅動與控制
光伏應用
在線不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應用的高壓 SiC MOSFET 驅動器,由Infineon生產,屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅動器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達 150 V/ns8 kV 峰值增強。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標準的EiceDRIVER? 高壓柵極驅動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關提供了強大的輸出級,峰值電流高達 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關閉期間實現(xiàn)不同的轉換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅動器 IC,是一款用于汽車應用的高壓 IGBT 驅動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關提供強大的輸出級,峰值電流高達 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關閉期間實現(xiàn)不同的轉換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標準的單通道高壓柵極驅動器,專為SiC MOSFET設計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術,實現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產品優(yōu)勢易于使用的預配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標準的單通道高壓柵極驅動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術,通過電流隔離實現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅動器適用于高達 1200 V 的 SiC MOSFET高達 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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