商品名稱:NOR閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:WSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S25FL256SDPNFV001是一款256Mbit NOR閃存。該器件通過SPI接口連接至主機(jī)系統(tǒng),支持傳統(tǒng)SPI單比特串行輸入輸出(SingleI/O或SIO),同時(shí)提供可選的雙比特(Dual I/O或DIO)和四比特(Quad I/O或QIO)串行命令模式。
S25FL256SDPNFV001特性
? 3.0V CMOS核心架構(gòu),配備多功能I/O接口
? 支持多I/O模式的SPI接口
- SPI時(shí)鐘極性與相位模式0/3兼容
- DDR模式可選
- 擴(kuò)展尋址:24位或32位地址選項(xiàng)
- 串行命令集與封裝尺寸兼容S25FL-A、S25FL-K及S25FL-P SPI系列
- 多I/O命令集與封裝尺寸兼容S25FL-P SPI系列
? 讀取命令
- 標(biāo)準(zhǔn)/快速/雙倍速/四倍速/快速DDR/雙倍速DDR/四倍速DDR
- 自動(dòng)啟動(dòng)功能:上電或復(fù)位后自動(dòng)執(zhí)行預(yù)選地址的標(biāo)準(zhǔn)/四倍速讀取命令
- 配置信息采用通用閃存接口(CFI)數(shù)據(jù)
? 編程(1.5 MBps)
- 256或512字節(jié)頁(yè)編程緩沖區(qū)選項(xiàng)
- 適用于低時(shí)鐘系統(tǒng)的高效四路輸入頁(yè)編程(QPP)
- 自動(dòng)生成ECC內(nèi)部硬件糾錯(cuò)碼,支持單比特錯(cuò)誤糾正
? 擦除(0.5至0.65 MBps)
- 混合扇區(qū)尺寸選項(xiàng) - 地址空間頂部或底部設(shè)置32個(gè)4KB物理扇區(qū),其余均為64KB扇區(qū),兼容前代S25FL器件
- 統(tǒng)一扇區(qū)選項(xiàng) - 始終擦除256KB塊,確保與高密度及未來器件的軟件兼容性
? 循環(huán)耐受性
- 最低100,000次編程-擦除循環(huán)
? 數(shù)據(jù)保留
- 最低20年數(shù)據(jù)保留期
? 安全特性
- 1024字節(jié)一次性可編程(OTP)陣列
- 塊保護(hù)
? 狀態(tài)寄存器位可控制對(duì)連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除保護(hù)
? 軟硬件控制選項(xiàng)
- 高級(jí)扇區(qū)保護(hù)(ASP)
? 通過啟動(dòng)代碼或密碼控制的獨(dú)立扇區(qū)保護(hù)
? 采用Eclipse架構(gòu)的65納米MIRRORBIT?技術(shù)
? 核心供電電壓:2.7V至3.6V
? I/O供電電壓:1.65V至3.6V
? 狀態(tài)寄存器位用于控制對(duì)連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除保護(hù)? 硬件與軟件控制選項(xiàng)- 高級(jí)扇區(qū)保護(hù)(ASP)- 通過啟動(dòng)代碼或密碼控制的獨(dú)立扇區(qū)保護(hù)- 采用Eclipse架構(gòu)的65納米MIRRORBIT?技術(shù)- 核心供電電壓:2.7 V至3.6 V- I/O供電電壓:1.65 V至3.6 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號(hào)傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對(duì)于伏的 SiC MOSFET。班級(jí)最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,采用無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專為SiC MOSFET設(shè)計(jì),適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無(wú)磁芯變壓器技術(shù),實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)易于使用的預(yù)配置,無(wú)需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,其采用英飛凌的無(wú)芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號(hào)傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:?jiǎn)瓮ǖ栏綦x式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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