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供應(yīng)英飛凌GaN產(chǎn)品:GaN雙向開關(guān)、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶體管

供應(yīng)英飛凌GaN產(chǎn)品:GaN雙向開關(guān)、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶體管

來源:本站時間:2025-07-19瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)英飛凌GaN產(chǎn)品:GaN雙向開關(guān)、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)服務(wù)商,憑借其強(qiáng)大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專業(yè)的行業(yè)服務(wù)能力,為客戶提供穩(wěn)定可靠的原裝產(chǎn)品。主營產(chǎn)品包括:5G 芯片、新能…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)英飛凌GaN產(chǎn)品:GaN雙向開關(guān)、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶體管


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)服務(wù)商,憑借其強(qiáng)大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專業(yè)的行業(yè)服務(wù)能力,為客戶提供穩(wěn)定可靠的原裝產(chǎn)品。


主營產(chǎn)品包括:5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、通信IC、人工智能IC,存儲器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器等電子元器件。


供應(yīng)上具有以下核心優(yōu)勢:

原廠直供與質(zhì)量保證:所有產(chǎn)品均通過授權(quán)渠道采購,確保100%原裝正品,提供完整的原廠批次編號。

規(guī)模化采購與成本優(yōu)化:憑借與多家知名品牌的深度合作及大批量采購優(yōu)勢,能夠顯著降低電子元器件的綜合成本,為客戶提供極具競爭力的價格。

靈活快速的交付能力:深圳中央倉庫與香港保稅倉庫協(xié)同運(yùn)作,支持48小時快遞配送,緊急訂單可實(shí)現(xiàn)24小時內(nèi)國內(nèi)發(fā)貨。


氮化鎵(GaN)

CoolGaN? – 離散器件和集成解決方案,為消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車應(yīng)用提供最高效率和功率密度。


英飛凌GaN雙向開關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用

英飛凌CoolGaN?系列中的雙向開關(guān)(BDS)產(chǎn)品代表了GaN技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的重要創(chuàng)新方向。英飛凌40V雙向開關(guān)器件采用先進(jìn)的GaN-on-Si工藝制造,集成了兩個高性能GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),可在單一封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)雙向電流控制,顯著簡化了電路設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)可靠性。這類器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值1.1mΩ~2.3mΩ)和超快的開關(guān)速度,能夠支持高達(dá)2MHz的工作頻率,是傳統(tǒng)硅基MOSFET性能的5-10倍,特別適合需要高頻高效運(yùn)作的應(yīng)用場景。


GaN雙向開關(guān)的核心技術(shù)優(yōu)勢在于其無體二極管反向恢復(fù)特性。與硅基器件不同,GaN器件在反向?qū)〞r不會產(chǎn)生反向恢復(fù)電流,這從根本上消除了傳統(tǒng)MOSFET體二極管反向恢復(fù)帶來的開關(guān)損耗和EMI問題。英飛凌的CoolGaN?雙向開關(guān)還采用了創(chuàng)新的柵極驅(qū)動技術(shù),確保器件在高頻開關(guān)條件下的穩(wěn)定性和可靠性,同時簡化了驅(qū)動電路設(shè)計(jì)。這些特性使得GaN雙向開關(guān)在同步整流、電機(jī)驅(qū)動H橋、無線充電等需要雙向能量流動的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。


英飛凌GaN控制器與智能器件解決方案

英飛凌的GaN控制器產(chǎn)品線包括獨(dú)立的柵極驅(qū)動器和高集成度的智能功率模塊(IPM),這些器件針對GaN功率器件的獨(dú)特特性進(jìn)行了優(yōu)化,能夠充分發(fā)揮GaN技術(shù)的高頻高效優(yōu)勢。特別值得一提的是NV6133A這類集成GaN開關(guān)和驅(qū)動器的智能功率IC,它采用GaNSense?技術(shù),實(shí)現(xiàn)了無損電流采樣和全面的保護(hù)功能,大幅簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提升了可靠性。


GaNFast?電源IC是英飛凌GaN控制器產(chǎn)品中的明星系列,如NV6133A芯片內(nèi)部集成了高性能GaN開關(guān)管和驅(qū)動器,支持10至30V的寬VCC范圍,可編程的開啟dV/dt,并提供200V/ns的dV/dt抗擾度7。該器件具有800V的瞬態(tài)電壓等級和700V的連續(xù)電壓等級,導(dǎo)通電阻僅為330mΩ,支持高達(dá)2MHz的操作頻率。其集成的GaNSense?技術(shù)提供了短路保護(hù)、過溫保護(hù)和自主低電流待機(jī)模式等智能功能,消除了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中取樣電阻的功率損耗,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率和可靠性。


英飛凌GaN晶體管系列

英飛凌的GaN晶體管產(chǎn)品線覆蓋了從中壓到高壓的廣泛應(yīng)用需求,包括CoolGaN? G3(中壓)、CoolGaN? G5(高壓)以及工業(yè)用IGT系列在內(nèi)的全系列GaN晶體管產(chǎn)品。這些器件采用先進(jìn)的8英寸晶圓工藝制造,大幅提升了功率密度、開關(guān)頻率和熱管理性能,適用于從消費(fèi)電子到工業(yè)電源的前沿應(yīng)用。


CoolGaN? G3系列針對中壓應(yīng)用優(yōu)化,電壓范圍覆蓋40V至120V,采用標(biāo)準(zhǔn)化的RQFN 5x6和3.3x3.3封裝,與傳統(tǒng)的硅基MOSFET引腳兼容,便于客戶進(jìn)行設(shè)計(jì)遷移。該系列器件具有極低的導(dǎo)通電阻(1.1mΩ~2.3mΩ)和優(yōu)異的熱循環(huán)穩(wěn)定性,特別適合高頻開關(guān)應(yīng)用。在USB-C快充設(shè)計(jì)中,G3系列GaN晶體管可實(shí)現(xiàn)95%以上的效率,同時將電源體積縮小50%以上;在電機(jī)驅(qū)動和電信電源中,其高頻特性有助于減小濾波元件體積并提升控制帶寬。


CoolGaN? G5系列是英飛凌針對高壓應(yīng)用推出的旗艦產(chǎn)品,電壓等級達(dá)650V,采用創(chuàng)新的GIT(柵極注入晶體管)技術(shù),相比前代產(chǎn)品效率提升3%~5%。G5系列GaN晶體管的開關(guān)損耗極低,支持?jǐn)?shù)百kHz至MHz級的工作頻率,同時具有出色的dv/dt抗擾度和短路耐受能力。在光伏逆變器應(yīng)用中,G5器件可實(shí)現(xiàn)超過99%的轉(zhuǎn)換效率,顯著提升發(fā)電系統(tǒng)的能量產(chǎn)出;在服務(wù)器電源和電動汽車車載充電機(jī)(OBC)中,其高功率密度特性有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。



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