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供應(yīng) Microchip 存儲器產(chǎn)品:EEPROM、EERAM、并行閃存、SRAM、NVSRAM

供應(yīng) Microchip 存儲器產(chǎn)品:EEPROM、EERAM、并行閃存、SRAM、NVSRAM

來源:本站時間:2024-11-29瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) Microchip 存儲器產(chǎn)品:EEPROM、EERAM、并行閃存、SRAM、NVSRAM深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專營高端器件,射頻器件,5G器件,新能源IC,高端連接器,以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們與全球知…

深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) Microchip 存儲器產(chǎn)品:EEPROM、EERAM、并行閃存、SRAM、NVSRAM


深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專營高端器件,射頻器件,5G器件,新能源IC,高端連接器,以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關(guān)系,確保所供應(yīng)的元器件均來自正規(guī)渠道,品質(zhì)可靠。


串行 EEPROM

串行 EEPROM 是一種低功耗、非易失性存儲器件,具有強大的工作范圍、小尺寸和字節(jié)可更改性,是數(shù)據(jù)和程序存儲的理想選擇。串行 EEPROM 的寫入次數(shù)可達一百萬次以上。


串行 EERAM

EERAM 是一種非易失性 SRAM,具有 EEPROM 影子備份功能。斷電時,數(shù)據(jù)會通過一個小型外部電容器自動備份到 EEPROM 上。與 NVSRAM 不同,它不需要外部電池。該器件兼具 EEPROM 的可靠性和 SRAM 的性能。EERAM 可無限次擦除和寫入存儲器。


并行閃存

我們的多用途并行閃存采用我們專有的高性能 CMOS SuperFlash 技術(shù)制造,在降低功耗的同時顯著提高了性能(擦除任何數(shù)據(jù)塊的時間均小于 25 毫秒)和可靠性(數(shù)據(jù)保存 100 年)。


串行 SRAM

串行 SRAM 是一種獨立的易失性存儲器,為您的應(yīng)用增加更多的 RAM 提供了一種簡單而廉價的方法。這些 8 引腳器件具有無限的耐用性和零寫入時間。


串行 NVSRAM

串行 NVSRAM 通過外部電池提供低成本的非易失性 RAM 存儲,非常適合需要經(jīng)常寫入存儲器的應(yīng)用。


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