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INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 IC

INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 IC

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深圳市明佳達電子有限公司供應 INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 ICS26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說明S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員,密度高達 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作,帶寬為 400 MByte/s,工作電壓為 1.8 …

深圳市明佳達電子有限公司供應 INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 IC


S26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說明

S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員,密度高達 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作,帶寬為 400 MByte/s,工作電壓為 1.8 V,接口頻率高達 200 MHz (DDR),采用堅固的英飛凌 PG-BGA-24 封裝。


英飛凌 SEMPER? 閃存系列產(chǎn)品是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,兼容 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 規(guī)范。SEMPER? 閃存專為功能安全而設計,其開發(fā)符合 ISO 26262 標準,可實現(xiàn) ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。


S26HS512TGABHI003 參數(shù)

密度:512 MBit

系列:HS-T

接口帶寬:400 MByte/s

接口頻率:200 MHz

接口:HYPERBUS

引腳球表面處理:錫/銀/銅

工作溫度:-40 °C - 85 °C

工作電壓:1.8 V 1.7 V 2 V

峰值回流焊溫度:260 °C


S26HS512TGABHI003 的特點

英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術,在每個存儲器陣列單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位

扇區(qū)架構選項

256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)

1024 字節(jié)(32 × 32 字節(jié))的 OTP 安全硅區(qū) (SSR)

HYPERBUS? 接口

帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS? 接口 (x8) 默認啟動

自動啟動功能可在上電后立即訪問存儲器陣列

通過 CS# 信號方法(JEDEC)和單獨的 RESET# 引腳進行硬件復位

描述器件功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)

設備標識、制造商標識和唯一標識 


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