商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:ST
年份:24+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
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SCTW100N120G2AG 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先進(jìn)、創(chuàng)新的第二代碳化硅 MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件的單位面積導(dǎo)通電阻非常低,開關(guān)性能非常好。開關(guān)損耗的變化幾乎不受結(jié)溫的影響。
SCTW100N120G2AG 的特性
通過 AEC-Q101 認(rèn)證
高速開關(guān)性能
非常快速和堅(jiān)固的本體二極管
低電容
極高的工作結(jié)溫能力(TJ = 200 °C)
SCTW100N120G2AG 的應(yīng)用
變頻器牽引
直流-直流轉(zhuǎn)換器
太陽能逆變器
OBC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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STM32F103CBT6
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SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車級(jí)碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用ST先進(jìn)的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成,具有高開關(guān)速度和堅(jiān)固的內(nèi)建體二極管,適用于高頻應(yīng)用。此外,SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車電子領(lǐng)域。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT016H120G3AG封裝 / 箱…SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG器件是一款汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET,采用ST先進(jìn)的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on) 以及低電容和非常高的開關(guān)作,從而提高了應(yīng)用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的性能。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT012W90G3-4AG封裝 / 箱體:…電話咨詢:86-755-83294757
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