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英飛凌 S25FL512SAGBHVB10 NOR 閃存器件是 VIO VCC 2.7V 至 3.6V 閃存非易失性存儲器件。這些器件采用 65 納米 MirrorBit 技術(shù)。采用 Eclipse? 架構(gòu)設(shè)計，具有 512 字節(jié)頁面編程緩沖區(qū)。512-Mb S25FL512SAGBHVB10 NOR 允許用戶在一次操作中編程多達(dá) 256 個字（512 字節(jié)）。因此，與上一代 SPI 編程或擦除算法相比，該器件的有效編程和擦除速度更快。該器件通過 SPI 與主機(jī)系統(tǒng)連接，支持傳統(tǒng)的 SPI 單位串行輸入和輸出。可選兩位（雙 I/O 或 DIO）和四位（四 I/O 或 QIO）串行命令。S25FL512SAGBHVB10 NOR 支持傳輸?shù)刂返?SIO、DIO 和 QIO 雙倍數(shù)據(jù)速率讀取命令。

S25FL512SAGBHVB10 產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: NOR閃存

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: BGA-24

系列: S25FL512S

存儲容量: 512 Mbit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 90 mA

接口類型: SPI

最大時鐘頻率: 133 MHz

組織: 64 M x 8

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

定時類型: Synchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

存儲類型: NOR

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: NOR Flash

速度: 133 MHz

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